LET-6000_半导体器件高温反偏试验系统-力钛科

1、 满足的试验标准

lESD51-1

AEC-Q101

GJB128A

MIL-STD-750

JESD22A-108

JESD22A-101

2、 满足的试验器件类型

二极管

 MOSFET

 IGBT

CMOS

IPM 等功率器件

 各类IGBT 模块

3、试验系统的电气参数及功能

漏电流范围：10nA~1A(HTRB、H3TRB)

漏电流范围：1nA~2mA(HTGB)

试验电压：10V~6000V(HTRB、HTOL)

试验电压：±30V-200V(HTGB、H3TRB)

4、 试验系统的容量及扩展

试验通道：8/16/24、可扩展

MAX 工位数：640/ 1280 /1960

老化板尺寸：280mm×500mm （器件不同会变化）

器件的封装类型：轴向/径向二极管、TO-247-3/4、TO-3P、TO-220 等，可以根据需要选择

老化板可以支持最新的封装类型，如D-PAK（252）、D2PAK（263）E-mode、WPAK、POWER-PAK 等。

模块：IGBT 半桥、全桥等